FQD19N10 دیتاشیت

FQD19N10

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQD19N10
حجم فایل 1375.635 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FQD19N10

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

FQD19N10TM 10 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi FQD19N10TM
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Power Dissipation (Pd): 50W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 25nC@80V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 780pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 15.6A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 40pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 0.078Ω@10V,7.8A
  • Package: TO-252AA

محصولات مشابه