onsemi FQD19N10TM

onsemi FQD19N10TM

100V 15.6A 0.078Ω@10V,7.8A 50W 4V@250uA 1 N-channel TO-252AA MOSFETs ROHS

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer ---
Package ---
Datasheet FQD19N10
Description ---

sellers onsemi FQD19N10TM

فروشگاهی یافت نشد

انجمن تخصصی برق و الکترونیک سیسوگ
مقالات مرتبط در سیسوگ
  • استفاده از SiC در مراکز داده‌ مبتنی بر هوش مصنوعی
    استفاده از SiC در مراکز داده‌ مبتنی بر هوش مصنوعی
  • معرفی برد DongshanPI-PicoW
    معرفی برد DongshanPI-PicoW
انجمن تخصصی برق و الکترونیک سیسوگ

مشخصات

  • RoHS true
  • Type 1 N-channel
  • Category Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet onsemi FQD19N10TM
  • Operating Temperature -55°C~+150°C
  • Power Dissipation (Pd) 50W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs) 25nC@80V
  • Drain Source Voltage (Vdss) 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds) 780pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id) 15.6A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 40pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 0.078Ω@10V,7.8A
  • Package TO-252AA

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد

محصولات مشابه