FQP8N80C, FQPF8N80C دیتاشیت

FQP8N80C, FQPF8N80C

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQP8N80C, FQPF8N80C
حجم فایل 1297.812 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت FQP8N80C, FQPF8N80C

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

FQPF8N80C 11 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-Channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi FQPF8N80CYDTU
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 59W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 45nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 800V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.05nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 13pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.29Ω@10V,4A
  • Package: TO-220F-3

محصولات مشابه