KSD526YTU دیتاشیت

KSD526YTU

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت KSD526YTU
حجم فایل 70.016 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

دانلود دیتاشیت KSD526YTU

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi KSD526YTU
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • Transistor Type: NPN
  • Current - Collector (Ic) (Max): 4A
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
  • Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO)
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V
  • Power - Max: 30W
  • Frequency - Transition: 8MHz
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Package / Case: TO-220-3
  • Supplier Device Package: TO-220-3
  • Base Part Number: KSD526
  • detail: Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 4A 8MHz 30W Through Hole TO-220-3

محصولات مشابه