2N5550_J24Z دیتاشیت

2N5550-51

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 2N5550-51
حجم فایل 346.46 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت 2N5550-51

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: -
  • Packaging: Bulk
  • Part Status: Obsolete
  • Transistor Type: NPN
  • Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
  • Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
  • Power - Max: 625mW
  • Frequency - Transition: 300MHz
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Supplier Device Package: TO-92-3
  • Base Part Number: 2N5550
  • detail: Bipolar (BJT) Transistor NPN 140V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3