NTR1P02T3 دیتاشیت

N(T,V)R1P02

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت N(T,V)R1P02
حجم فایل 119.564 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

دانلود دیتاشیت N(T,V)R1P02

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: -
  • Packaging: Tape & Reel (TR)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: P-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 5V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
  • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Part Number: NTR1P0
  • detail: P-Channel 20V 1A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

محصولات مشابه