NVR1P02T1G

NVR1P02T1G

در 2 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است

مشخصات فنی:
Manufacturer onsemi
Package TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datasheet N(T,V)R1P02
Description P-Channel 20V 1A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

فروشنده های NVR1P02T1G

قیمت
NVR1P02T1G ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! خرید اینترنتی

آخرین تغییر قیمت فروشگاه:

NVR1P02T1G ناموجود بدون قیمت خرید اینترنتی

آخرین تغییر قیمت فروشگاه:

تغییرات قیمت

مشخصات NVR1P02T1G

  • RoHS true
  • Type P Channel
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet onsemi NVR1P02T1G
  • Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd) 400mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs) 2.5nC@5V
  • Drain Source Voltage (Vdss) 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds) 165pF@5V
  • Continuous Drain Current (Id) 1A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2.3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 180mΩ@10V,1.5A
  • Package SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer onsemi
  • Series -
  • Packaging Cut Tape (CT)
  • Part Status Active
  • FET Type P-Channel
  • Technology MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V
  • Vgs (Max) ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 165pF @ 5V
  • FET Feature -
  • Power Dissipation (Max) 400mW (Ta)
  • Mounting Type Surface Mount
  • Supplier Device Package SOT-23-3
  • Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Part Number NVR1P0
  • detail P-Channel 20V 1A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

فروشنده های NVR1P02T1G

قیمت
NVR1P02T1G ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! خرید اینترنتی

آخرین تغییر قیمت فروشگاه:

NVR1P02T1G ناموجود بدون قیمت خرید اینترنتی

آخرین تغییر قیمت فروشگاه: