NVR1P02T1G
در 2 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
| Manufacturer | onsemi |
| Package | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Datasheet | N(T,V)R1P02 |
| Description | P-Channel 20V 1A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 |
فروشنده های NVR1P02T1G
| قیمت | |||
| NVR1P02T1G | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| NVR1P02T1G | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
تغییرات قیمت
مشخصات NVR1P02T1G
- RoHS true
- Type P Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet onsemi NVR1P02T1G
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 400mW
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 2.5nC@5V
- Drain Source Voltage (Vdss) 20V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 165pF@5V
- Continuous Drain Current (Id) 1A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2.3V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 180mΩ@10V,1.5A
- Package SOT-23(TO-236)
- Manufacturer onsemi
- Series -
- Packaging Cut Tape (CT)
- Part Status Active
- FET Type P-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V
- Vgs (Max) ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 165pF @ 5V
- FET Feature -
- Power Dissipation (Max) 400mW (Ta)
- Mounting Type Surface Mount
- Supplier Device Package SOT-23-3
- Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Base Part Number NVR1P0
- detail P-Channel 20V 1A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
فروشنده های NVR1P02T1G
| قیمت | |||
| NVR1P02T1G | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| NVR1P02T1G | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
