IXFV110N10PS دیتاشیت

IXF(H,V)110N10P(S)

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXF(H,V)110N10P(S)
حجم فایل 358.245 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

دانلود دیتاشیت IXF(H,V)110N10P(S)

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: PolarHT™ HiPerFET™
  • Packaging: Bulk
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: PLUS-220SMD
  • Package / Case: PLUS-220SMD
  • detail: N-Channel 100V 110A (Tc) 480W (Tc) Surface Mount PLUS-220SMD