- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت STGWT80H65DFB
STGWT80H65DFB دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | STGWT80H65DFB |
|---|---|
| حجم فایل | 56.499 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 18 |
دانلود دیتاشیت STGWT80H65DFB |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
STGW80H65DFB, STGWT80H65DFB 18 pages
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
- Datasheet: STMicroelectronics STGWT80H65DFB
- Package: TO-3P-3
- Manufacturer: STMicroelectronics
- Series: -
- Packaging: Tube
- Part Status: Active
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650V
- Current - Collector (Ic) (Max): 120A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 240A
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
- Power - Max: 469W
- Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
- Input Type: Standard
- Gate Charge: 414nC
- Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
- Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
- Reverse Recovery Time (trr): 85ns
- Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Mounting Type: Through Hole
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Supplier Device Package: TO-3P
- Base Part Number: STGWT80
- detail: IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-3P