STx10P6F6 دیتاشیت

STx10P6F6

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STx10P6F6
حجم فایل 1227.379 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 24

دانلود دیتاشیت STx10P6F6

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: DeepGATE™, STripFET™ VI
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: P-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 48V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
  • Operating Temperature: 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
  • Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Base Part Number: STU10P
  • detail: P-Channel 60V 10A (Tc) 35W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)