PHD36N03LT,118 دیتاشیت

PHD,PHP36N03LT

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PHD,PHP36N03LT
حجم فایل 94.228 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت PHD,PHP36N03LT

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: NXP USA Inc.
  • Series: TrenchMOS™
  • Packaging: Tape & Reel (TR)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 57.6W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: DPAK
  • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Part Number: PHD36
  • detail: N-Channel 30V 43.4A (Tc) 57.6W (Tc) Surface Mount DPAK

محصولات مشابه