IXTP3N120 دیتاشیت

IXTP3N120

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXTP3N120
حجم فایل 77.332 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت IXTP3N120

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

IXTA3N120 4 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Littelfuse/IXYS IXTA3N120
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 200W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 42nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 1200V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1350pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.5Ω@1.5A,10V
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: IXYS
  • Part id: 99667

محصولات مشابه