IXTP3N120
در 4 فروشگاه از 435,600 تا 435,600 تومان
| Manufacturer | IXYS |
| Package | TO-220-3 |
| Datasheet | IXT(A,P)3N120 |
| Description | N-Channel 1200V 3A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB |
فروشنده های IXTP3N120
| قیمت | |||
| IXTP3N120 | 435600 تومان |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| IXTP3N120 | ناموجود 404961 تومان |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| IXTP3N120 | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| IXTP3N120 | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
تغییرات قیمت
مشخصات IXTP3N120
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Littelfuse/IXYS IXTP3N120
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 200W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 42nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 1.2kV
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 1350pF@25V
- Continuous Drain Current (Id) 3A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 5V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 4.5Ω@10V,1.5A
- Package TO-220
- Manufacturer IXYS
- Series HiPerFET™
- Packaging Tube
- Part Status Active
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 500mA, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
- Vgs (Max) ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 25V
- FET Feature -
- Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
- Mounting Type Through Hole
- Supplier Device Package TO-220AB
- Package / Case TO-220-3
- detail N-Channel 1200V 3A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
فروشنده های IXTP3N120
| قیمت | |||
| IXTP3N120 | 435600 تومان |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| IXTP3N120 | ناموجود 404961 تومان |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| IXTP3N120 | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| IXTP3N120 | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|