HYG023N03LR1C2 دیتاشیت

HYG023N03LR1C2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG023N03LR1C2
حجم فایل 66.281 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت HYG023N03LR1C2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

HYG023N03LR1C2 9 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG023N03LR1C2
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 62.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 48nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4.71nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 125A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 462pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.5mΩ@10V,20A
  • Package: DFN-8(5.2x5.9)
  • Manufacturer: HUAYI
  • Part id: 1145841

محصولات مشابه