HYG023N03LR1C2

HYG023N03LR1C2

HYG023N03LR1C2

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer HUAYI
Package ---
Datasheet HYG023N03LR1C2
Description ---

sellers HYG023N03LR1C2

فروشگاهی یافت نشد

انجمن تخصصی برق و الکترونیک سیسوگ

تغییرات قیمت

انجمن تخصصی برق و الکترونیک سیسوگ

مشخصات

  • RoHS true
  • Type N Channel
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet HUAYI HYG023N03LR1C2
  • Operating Temperature -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd) 62.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs) 48nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss) 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds) 4.71nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id) 125A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1.7V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 462pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 1.5mΩ@10V,20A
  • Package DFN-8(5.2x5.9)
  • Manufacturer HUAYI
  • Part id 1145841

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد

محصولات مشابه