دیتاشیت SI4909DY-T1-GE3

SI4909DY-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI4909DY-T1-GE3
حجم فایل 220.632 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت SI4909DY-T1-GE3

SI4909DY-T1-GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: 2 P-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI4909DY-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3.2W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 63nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2000pF@20V
  • Continuous Drain Current (Id): 8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 27mΩ@10V,8A
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech
  • Part id: 1385550

دیتاشیت محصولات مشابه