MJD42C1G دیتاشیت

MJD42C1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MJD42C1G
حجم فایل 85.191 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

دانلود دیتاشیت MJD42C1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi MJD42CG
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: -65°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 6A
  • Power Dissipation (Pd): 20W
  • Transition Frequency (fT): 3MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 15@3A,4V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 50uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 100V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 1.5V@6A,600mA
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه