NJVMJD41CT4G

NJVMJD41CT4G

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer onsemi
Package ---
Datasheet NJVMJD41CT4G
Description ---

sellers NJVMJD41CT4G

فروشگاهی یافت نشد

تغییرات قیمت

مشخصات

  • RoHS true
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet onsemi NJVMJD41CT4G
  • Transistor Type NPN
  • Collector Current (Ic) 6A
  • Power Dissipation (Pd) 1.75W
  • Transition Frequency (fT) 3MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 30@300mA,4V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo) 50uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 100V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 1.5V@600mA,6A
  • Package TO-252
  • Manufacturer onsemi

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد