دیتاشیت 2N5551G-B-AB3-R

2N5551G-B-AB3-R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 2N5551G-B-AB3-R
حجم فایل 62.633 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 4

دانلود دیتاشیت 2N5551G-B-AB3-R

2N5551G-B-AB3-R Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: UTC(Unisonic Tech) 2N5551G-B-AB3-R
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 600mA
  • Power Dissipation (Pd): 500mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 150@10mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 50nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 160V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 200mV@50mA,5mA
  • Package: SOT-89-3
  • Manufacturer: UTC(Unisonic Tech)

دیتاشیت محصولات مشابه