2N5551G-B-AB3-R
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | UTC(Unisonic Tech) |
| Package | --- |
| Datasheet | 2N5551G-B-AB3-R |
| Description | --- |
فروشنده های 2N5551G-B-AB3-R
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات 2N5551G-B-AB3-R
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet UTC(Unisonic Tech) 2N5551G-B-AB3-R
- Transistor Type NPN
- Operating Temperature +150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) 600mA
- Power Dissipation (Pd) 500mW
- Transition Frequency (fT) 100MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 150@10mA,5V
- Collector Cut-Off Current (Icbo) 50nA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 160V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 200mV@50mA,5mA
- Package SOT-89-3
- Manufacturer UTC(Unisonic Tech)
فروشنده های 2N5551G-B-AB3-R
فروشگاهی یافت نشد
