دیتاشیت NSVBCH807-40LT1G

NSVBCH807-40LT1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NSVBCH807-40LT1G
حجم فایل 75.044 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

دانلود دیتاشیت NSVBCH807-40LT1G

NSVBCH807-40LT1G Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi NSVBCH807-40LT1G
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 500mA
  • Power Dissipation (Pd): 225mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 250@100mA,1V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 700mV@500mA,50mA
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: onsemi

دیتاشیت محصولات مشابه