NSVBCH807-40LT1G
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | onsemi |
| Package | --- |
| Datasheet | NSVBCH807-40LT1G |
| Description | --- |
فروشنده های NSVBCH807-40LT1G
فروشگاهی یافت نشد
تغییرات قیمت
مشخصات NSVBCH807-40LT1G
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet onsemi NSVBCH807-40LT1G
- Transistor Type PNP
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) 500mA
- Power Dissipation (Pd) 225mW
- Transition Frequency (fT) 100MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 250@100mA,1V
- Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 45V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 700mV@500mA,50mA
- Package SOT-23(TO-236)
- Manufacturer onsemi
فروشنده های NSVBCH807-40LT1G
فروشگاهی یافت نشد
