MJD2955G دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
MJD2955G
|
|
حجم فایل
|
87.781
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
7
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
onsemi MJD3055T4G
-
Transistor Type:
NPN
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
10A
-
Power Dissipation (Pd):
1.75W
-
Transition Frequency (fT):
2MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
20@4A,4V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
20uA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
60V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
8V@10A,3.3A
-
Package:
TO-252
-
Manufacturer:
onsemi
