دیتاشیت IPB123N10N3 G
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPB123N10N3 G |
|---|---|
| حجم فایل | 61.549 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 11 |
دانلود دیتاشیت IPB123N10N3 G |
IPB123N10N3 G Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPB123N10N3 G
- Power Dissipation (Pd): 94W
- Drain Source Voltage (Vdss): 100V
- Continuous Drain Current (Id): 58A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@46uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 12.3mΩ@10V,46A
- Package: TO-263
- Manufacturer: Infineon Technologies
