IPB123N10N3 G
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package | --- |
| Datasheet | IPB123N10N3 G |
| Description | --- |
فروشنده های IPB123N10N3 G
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات IPB123N10N3 G
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Infineon Technologies IPB123N10N3 G
- Power Dissipation (Pd) 94W
- Drain Source Voltage (Vdss) 100V
- Continuous Drain Current (Id) 58A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 3.5V@46uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 12.3mΩ@10V,46A
- Package TO-263
- Manufacturer Infineon Technologies
فروشنده های IPB123N10N3 G
فروشگاهی یافت نشد