دیتاشیت SI2337DS-T1-GE3

SI2337DS-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI2337DS-T1-GE3
حجم فایل 85.485 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت SI2337DS-T1-GE3

SI2337DS-T1-GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI2337DS-T1-GE3
  • Operating Temperature: -50°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 760mW;2.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 17nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 80V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 500pF@40V
  • Continuous Drain Current (Id): 2.2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 270mΩ@10V,1.2A
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: Vishay Intertech

دیتاشیت محصولات مشابه