SI2337DS-T1-GE3
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | Vishay Intertech |
| Package | --- |
| Datasheet | SI2337DS-T1-GE3 |
| Description | --- |
فروشنده های SI2337DS-T1-GE3
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات SI2337DS-T1-GE3
- RoHS true
- Type P Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Vishay Intertech SI2337DS-T1-GE3
- Operating Temperature -50°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 760mW;2.5W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 17nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 80V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 500pF@40V
- Continuous Drain Current (Id) 2.2A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 270mΩ@10V,1.2A
- Package SOT-23
- Manufacturer Vishay Intertech
فروشنده های SI2337DS-T1-GE3
فروشگاهی یافت نشد