دیتاشیت MMBT5551-G

MMBT5551-G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MMBT5551-G
حجم فایل 83.476 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 4

دانلود دیتاشیت MMBT5551-G

MMBT5551-G Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. MMBT5551-G
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 600mA
  • Power Dissipation (Pd): 300mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 200@10mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 50nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 160V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 200mV@50mA,5mA
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd.

دیتاشیت محصولات مشابه