MMBT5551-G
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. |
| Package | --- |
| Datasheet | MMBT5551-G |
| Description | --- |
فروشنده های MMBT5551-G
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات MMBT5551-G
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. MMBT5551-G
- Transistor Type NPN
- Operating Temperature +150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) 600mA
- Power Dissipation (Pd) 300mW
- Transition Frequency (fT) 100MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 200@10mA,5V
- Collector Cut-Off Current (Icbo) 50nA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 160V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 200mV@50mA,5mA
- Package SOT-23
- Manufacturer Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd.
فروشنده های MMBT5551-G
فروشگاهی یافت نشد