SMMBTH10-4LT3G دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
SMMBTH10-4LT3G
|
|
حجم فایل
|
50.018
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
7
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
onsemi MMBTH10LT3G
-
Transistor Type:
NPN
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
-
-
Power Dissipation (Pd):
225mW
-
Transition Frequency (fT):
650MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
60@4mA,10V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
100nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
25V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
500mV@4mA,400uA
-
Package:
SOT-23(TO-236)
-
Manufacturer:
onsemi
