MMBTH10LT3G
در 0 فروشگاه
قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | onsemi |
| Package | --- |
| Datasheet | MMBTH10LT3G |
| Description | --- |
sellers MMBTH10LT3G
فروشگاهی یافت نشد
تغییرات قیمت
مشخصات MMBTH10LT3G
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet onsemi MMBTH10LT3G
- Transistor Type NPN
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) -
- Power Dissipation (Pd) 225mW
- Transition Frequency (fT) 650MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 60@4mA,10V
- Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 25V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 500mV@4mA,400uA
- Package SOT-23(TO-236)
- Manufacturer onsemi
فروشنده ها
فروشگاهی یافت نشد