IPB020NE7N3 G دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
IPB020NE7N3 G
|
|
حجم فایل
|
57.915
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
9
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IPB020NE7N3 G
-
Power Dissipation (Pd):
300W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
75V
-
Continuous Drain Current (Id):
120A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
3.8V@273uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
2mΩ@10V,100A
-
Package:
TO-263-3
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
