IPB020NE7N3 G
در 0 فروشگاه
قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package | --- |
| Datasheet | IPB020NE7N3 G |
| Description | --- |
sellers IPB020NE7N3 G
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Infineon Technologies IPB020NE7N3 G
- Power Dissipation (Pd) 300W
- Drain Source Voltage (Vdss) 75V
- Continuous Drain Current (Id) 120A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 3.8V@273uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 2mΩ@10V,100A
- Package TO-263-3
- Manufacturer Infineon Technologies
فروشنده ها
فروشگاهی یافت نشد