دیتاشیت SI4466DY-T1-VB

SI4466DY-T1-VB

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI4466DY-T1-VB
حجم فایل 73.861 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت SI4466DY-T1-VB

SI4466DY-T1-VB Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec SI4466DY-T1-VB
  • Power Dissipation (Pd): 4.5W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Continuous Drain Current (Id): 18A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4mΩ@10V,11A
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: VBsemi Elec