دیتاشیت SI4466DY-T1-VB
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت | SI4466DY-T1-VB |
---|---|
حجم فایل | 73.861 کیلوبایت |
نوع فایل | |
تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت SI4466DY-T1-VB |
SI4466DY-T1-VB Datasheet |
---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: VBsemi Elec SI4466DY-T1-VB
- Power Dissipation (Pd): 4.5W
- Drain Source Voltage (Vdss): 30V
- Continuous Drain Current (Id): 18A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4mΩ@10V,11A
- Package: SOP-8
- Manufacturer: VBsemi Elec