HYG023N04NR1D دیتاشیت

HYG023N04NR1D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG023N04NR1D
حجم فایل 61.395 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت HYG023N04NR1D

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG023N04NR1D
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 100W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 82nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 45V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3412pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 140A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.8V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 485pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.3mΩ@10V,40A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه