HYG023N04NR1D

HYG023N04NR1D

HYG023N04NR1D

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer HUAYI
Package ---
Datasheet HYG023N04NR1D
Description ---

sellers HYG023N04NR1D

فروشگاهی یافت نشد

پالت

تغییرات قیمت

پالت

مشخصات

  • RoHS true
  • Type N Channel
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet HUAYI HYG023N04NR1D
  • Operating Temperature -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd) 100W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs) 82nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss) 45V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds) 3412pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id) 140A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2.8V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 485pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 2.3mΩ@10V,40A
  • Package TO-252
  • Manufacturer HUAYI

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد

محصولات مشابه