دیتاشیت MMBTSC3356-3G

MMBTSC3356-3G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MMBTSC3356-3G
حجم فایل 78.017 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 3

دانلود دیتاشیت MMBTSC3356-3G

MMBTSC3356-3G Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: CBI MMBTSC3356-3G
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 200mW
  • Transition Frequency (fT): 3GHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 120@20mA,10V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 1uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 12V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): -
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: CBI