دیتاشیت MMBTSC3356-3G
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت |
MMBTSC3356-3G
|
حجم فایل |
78.017
کیلوبایت
|
نوع فایل |
pdf
|
تعداد صفحات |
3
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
CBI MMBTSC3356-3G
-
Transistor Type:
NPN
-
Operating Temperature:
+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
100mA
-
Power Dissipation (Pd):
200mW
-
Transition Frequency (fT):
3GHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
120@20mA,10V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
1uA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
12V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
-
-
Package:
SOT-23(TO-236)
-
Manufacturer:
CBI