MMBTSC3356-3G
در 0 فروشگاه
قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | CBI |
| Package | --- |
| Datasheet | MMBTSC3356-3G |
| Description | --- |
sellers MMBTSC3356-3G
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet CBI MMBTSC3356-3G
- Transistor Type NPN
- Operating Temperature +150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) 100mA
- Power Dissipation (Pd) 200mW
- Transition Frequency (fT) 3GHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 120@20mA,10V
- Collector Cut-Off Current (Icbo) 1uA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 12V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) -
- Package SOT-23(TO-236)
- Manufacturer CBI
فروشنده ها
فروشگاهی یافت نشد
