دیتاشیت SI2301BDS-T1-GE3-VB
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SI2301BDS-T1-GE3-VB |
|---|---|
| حجم فایل | 72.313 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت SI2301BDS-T1-GE3-VB |
SI2301BDS-T1-GE3-VB Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: VBsemi Elec SI2301BDS-T1-GE3-VB
- Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 2.5W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 6.4nC@2.5V
- Drain Source Voltage (Vdss): 20V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 835pF@10V
- Continuous Drain Current (Id): 5A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 155pF@10V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 35mΩ@10V,5.1A
- Package: SOT-23(TO-236)
- Manufacturer: VBsemi Elec
