SI2301BDS-T1-GE3-VB
در 0 فروشگاه
قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | VBsemi Elec |
| Package | --- |
| Datasheet | SI2301BDS-T1-GE3-VB |
| Description | --- |
sellers SI2301BDS-T1-GE3-VB
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات
- RoHS true
- Type P Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet VBsemi Elec SI2301BDS-T1-GE3-VB
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 2.5W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 6.4nC@2.5V
- Drain Source Voltage (Vdss) 20V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 835pF@10V
- Continuous Drain Current (Id) 5A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 155pF@10V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 35mΩ@10V,5.1A
- Package SOT-23(TO-236)
- Manufacturer VBsemi Elec
فروشنده ها
فروشگاهی یافت نشد
