دیتاشیت MJD31C-13

MJD31C-13

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MJD31C-13
حجم فایل 70.986 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

دانلود دیتاشیت MJD31C-13

MJD31C-13 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Diodes Incorporated MJD31C-13
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 3A
  • Power Dissipation (Pd): 1.56W
  • Transition Frequency (fT): 3MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 10@3A,4V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 1uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 100V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 1.2V@3A,375mA
  • Package: DPAK-3
  • Manufacturer: Diodes Incorporated