MJD31C-13
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Package | --- |
| Datasheet | MJD31C-13 |
| Description | --- |
فروشنده های MJD31C-13
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات MJD31C-13
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet Diodes Incorporated MJD31C-13
- Transistor Type NPN
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) 3A
- Power Dissipation (Pd) 1.56W
- Transition Frequency (fT) 3MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 10@3A,4V
- Collector Cut-Off Current (Icbo) 1uA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 1.2V@3A,375mA
- Package DPAK-3
- Manufacturer Diodes Incorporated
فروشنده های MJD31C-13
فروشگاهی یافت نشد