دیتاشیت SI1012CR-T1-GE3

SI1012CR-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI1012CR-T1-GE3
حجم فایل 78.268 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت SI1012CR-T1-GE3

SI1012CR-T1-GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI1012CR-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 240mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 2nC@8V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 43pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 630mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 396mΩ@600mA,4.5V
  • Package: SC-75A
  • Manufacturer: Vishay Intertech

دیتاشیت محصولات مشابه