دیتاشیت SI1902DL-T1-GE3
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت | SI1902DL-T1-GE3 |
---|---|
حجم فایل | 76.278 کیلوبایت |
نوع فایل | |
تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت SI1902DL-T1-GE3 |
SI1902DL-T1-GE3 Datasheet |
---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: 2 N-Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech SI1902DL-T1-GE3
- Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 270mW
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 1.2nC@4.5V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): -
- Continuous Drain Current (Id): 660mA
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 385mΩ@660mA,4.5V
- Package: SOT-363-6
- Manufacturer: Vishay Intertech