دیتاشیت SI1902DL-T1-GE3

SI1902DL-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI1902DL-T1-GE3
حجم فایل 76.278 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت SI1902DL-T1-GE3

SI1902DL-T1-GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI1902DL-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 270mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 1.2nC@4.5V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): 660mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 385mΩ@660mA,4.5V
  • Package: SOT-363-6
  • Manufacturer: Vishay Intertech

دیتاشیت محصولات مشابه