SI1902DL-T1-GE3
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | Vishay Intertech |
| Package | --- |
| Datasheet | SI1902DL-T1-GE3 |
| Description | --- |
فروشنده های SI1902DL-T1-GE3
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات SI1902DL-T1-GE3
- RoHS true
- Type 2 N-Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Vishay Intertech SI1902DL-T1-GE3
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 270mW
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 1.2nC@4.5V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) -
- Continuous Drain Current (Id) 660mA
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) -
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 385mΩ@660mA,4.5V
- Package SOT-363-6
- Manufacturer Vishay Intertech
فروشنده های SI1902DL-T1-GE3
فروشگاهی یافت نشد