دیتاشیت STB13NM60N

STB13NM60N

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STB13NM60N
حجم فایل 58.513 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 24

STB13NM60N

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: STMicroelectronics STD13NM60N
  • Power Dissipation (Pd): 90W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 30nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 790pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 11A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 360mΩ@5.5A,10V
  • Package: TO-252-2(DPAK)
  • Manufacturer: STMicroelectronics

محصولات مشابه