دیتاشیت STD13NM60N
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
STD13NM60N
|
| حجم فایل |
58.513
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
24
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
STMicroelectronics STD13NM60N
-
Power Dissipation (Pd):
90W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
30nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
600V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
790pF@50V
-
Continuous Drain Current (Id):
11A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
360mΩ@5.5A,10V
-
Package:
TO-252-2(DPAK)
-
Manufacturer:
STMicroelectronics
