MJD42C1G دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
MJD42C1G
|
|
حجم فایل
|
85.191
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
8
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
onsemi NJVMJD41CT4G
-
Transistor Type:
NPN
-
Collector Current (Ic):
6A
-
Power Dissipation (Pd):
1.75W
-
Transition Frequency (fT):
3MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
30@300mA,4V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
50uA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
100V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
1.5V@600mA,6A
-
Package:
TO-252
-
Manufacturer:
onsemi
