3DD13003F6 دیتاشیت

3DD13003F6

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 3DD13003F6
حجم فایل 65.613 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 4

دانلود دیتاشیت 3DD13003F6

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13003F6
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 1.5A
  • Power Dissipation (Pd): 50W
  • Transition Frequency (fT): 5MHz
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 400V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 300mV@1A,250mA
  • Package: TO-126
  • Manufacturer: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics

محصولات مشابه