3DD13003F6
در 0 فروشگاه
قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics |
| Package | --- |
| Datasheet | 3DD13003F6 |
| Description | --- |
sellers 3DD13003F6
فروشگاهی یافت نشد
تغییرات قیمت
مشخصات
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13003F6
- Transistor Type NPN
- Operating Temperature +150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) 1.5A
- Power Dissipation (Pd) 50W
- Transition Frequency (fT) 5MHz
- Collector Cut-Off Current (Icbo) 100uA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 400V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 300mV@1A,250mA
- Package TO-126
- Manufacturer Wuxi China Resources Huajing Microelectronics
فروشنده ها
فروشگاهی یافت نشد