دیتاشیت BSB056N10NN3 G

BSB056N10NN3 G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BSB056N10NN3 G
حجم فایل 31.169 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

دانلود دیتاشیت BSB056N10NN3 G

BSB056N10NN3 G Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies BSB056N10NN3 G
  • Power Dissipation (Pd): 2.8W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 9A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@100uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.6mΩ@10V,30A
  • Package: MG-WDSON-2
  • Manufacturer: Infineon Technologies

دیتاشیت محصولات مشابه